應用于半導體和微電子制程工藝的GORE^?臭氧化模組

業(yè)界傳統(tǒng)上使用化學混合物進行硅片清洗和半導體清洗。然而，臭氧水處理方案更環(huán)保，可以減少廢物處理，降低成本，正越來越多地獲得采納。

制造商希望在室溫下使用清洗液，安全節(jié)能地去除有機物和進行表面處理。他們還希望減少使用非環(huán)保且廢物處理成本高的傳統(tǒng)化學品。以SPM（硫酸混合物）工藝為例，這種工藝使用雙氧水和熱硫酸的混合物，但硫酸是一種腐蝕性和有害的化學品，會增加廢物處理成本。

制造商還需要更潔凈，且臭氧溶解濃度高于目前水平的臭氧水，以幫助提高產(chǎn)量。潔凈的臭氧水可確保去除硅晶圓和平板顯示器上的有機污物。

自20世紀80年代以來，GORE臭氧化模組已成功應用于臭氧水晶圓清洗工具，用于清洗硅晶圓和半導體。該臭氧化模組使用去離子臭氧水，比常用的刺激性化學品和需經(jīng)過多個半導體清洗工藝步驟的方法更安全、更有效。

例如，濕法清洗和光刻膠去除方法在制備硅晶圓過程中使用化學品進行清洗，隨后采用硫酸混合濕法清洗工藝，然而這個流程同樣使用化學品去除殘留的有機污物。

久經(jīng)驗證，生成的臭氧水具有持續(xù)穩(wěn)定的濃度和流速

戈爾的模組可以生成目前市場上更潔凈、無氣泡的臭氧化超純水，比機械混合技術（如噴射器或靜態(tài)混合器）生成的臭氧水更潔凈。

這些模組還可以實現(xiàn)更高的溶解臭氧濃度，高達200 mg/L。它們持續(xù)穩(wěn)定地將臭氧氣體溶解到超高純水中，生成更潔凈、無氣泡的臭氧水。我們的臭氧模組具有微孔結構的含氟聚合物膜，能承受超過0.40 MPa的高進水壓(WEP)。

經(jīng)長期應用驗證，戈爾臭氧化模組生成的臭氧水具有持續(xù)穩(wěn)定的濃度和流量，是清洗硅晶圓和平板顯示器臭氧水系統(tǒng)的理想解決方案。

將GORE臭氧化模組與機械混合技術進行比較，可以更好地了解我們產(chǎn)品的優(yōu)勢。如需了解關于我們模組特性和性能的更多信息，請即聯(lián)系我們。

GORE臭氧化模組是具成本效益的解決方案，適用于微電子行業(yè)中先進的半導體制程工藝中的臭氧水制備和臭氧清洗工藝，如：

• 硅晶圓清洗和生產(chǎn)
• 邏輯芯片和存儲芯片制造
• LED/OLED/QOLED (LTPS)平板顯示器清洗和制造
• 光掩膜

如果您有任何疑問或具體應用需求，請即聯(lián)系我們。

GORE臭氧化模組具有多種特點和優(yōu)點，可幫助半導體臭氧水清洗設備制造商提高臭氧水的制備性能，如：

• 無氣泡的超高純度臭氧水，最高濃度可達200mg /L
• 由于獨特的含氟聚合物結構，生成更高潔凈度的臭氧水
• 采用ePTFE膜管，實現(xiàn)無顆粒污染
• 采用微孔膜技術，允許高進水壓> 0.40 MPa
• 經(jīng)過長期應用驗證，確保性能連續(xù)性和一致性
• 臭氧水的濃度和流量易于控制

如需了解有關戈爾臭氧化模組的特點和優(yōu)點的更多信息，請即聯(lián)系我們。

這些數(shù)值說明了GORE臭氧化模組應用在半導體和微電子制造工藝的特性。

戈爾的模組采用獨特的微孔膜技術，能夠生成比業(yè)內純度更高且無氣泡的臭氧水。產(chǎn)品性能久經(jīng)驗證，是改進半導體晶圓和平板顯示器制造清洗工藝，更環(huán)保的可靠解決方案。如需訂購和了解戈爾臭氧化模組的詳細技術信息，請即聯(lián)系我們。